今日，士蘭微發(fā)布關(guān)于“提質(zhì)增效重回報(bào)”行動方案的公告。
其中提到，公司重視投資者回報(bào)，立足長期穩(wěn)定發(fā)展，結(jié)合經(jīng)營實(shí)際與投資者合理需求，考慮發(fā)展階段、戰(zhàn)略及資金需求，制定利潤分配方案。在符合《公司章程》的前提下，優(yōu)先現(xiàn)金分紅。2020-2023年，士蘭微累計(jì)現(xiàn)金分紅約3.04億元。2022年7月，廈門基地啟動6英寸SiC芯片生產(chǎn)線，現(xiàn)已達(dá)每月9000片產(chǎn)能。2024年，杭州基地8英寸GaN芯片量產(chǎn)線取得進(jìn)展，正推進(jìn)車規(guī)級、工業(yè)級產(chǎn)品上市。5月21日，公司與廈門市政府簽署協(xié)議，共建8英寸SiC功率器件芯片線，分兩期投資70億和50億，規(guī)劃產(chǎn)能分別為每月3.5萬片和2.5萬片，總計(jì)6萬片，預(yù)計(jì)2025年底初步通線。以IDM模式驅(qū)動半導(dǎo)體業(yè)務(wù)增長
據(jù)芯傳感了解，士蘭微上市20余年，堅(jiān)持IDM模式。自2003年在上交所上市以來，在功率半導(dǎo)體、MEMS傳感器等領(lǐng)域構(gòu)建了核心競爭力。2021-2023年，公司抓住國產(chǎn)芯片導(dǎo)入機(jī)遇，拓展工藝技術(shù)與產(chǎn)品平臺。2023年?duì)I收達(dá)93.40億元，較2020年增長118%。2024年，公司繼續(xù)加強(qiáng)車規(guī)級、工業(yè)級產(chǎn)品體系能力建設(shè)，拓展高門檻市場。在IPM模塊、IGBT產(chǎn)品、SiC功率器件等領(lǐng)域取得顯著進(jìn)展，如2024年上半年IPM模塊應(yīng)用量超8300萬只，IGBT和SiC營收增長30%以上。SiC功率器件方面，公司已掌握關(guān)鍵技術(shù)，并完成第Ⅲ代技術(shù)開發(fā)，IV代芯片即將完成驗(yàn)證。2024年1-9月，公司營收81.63億元，同比增長18.32%，凈利潤為0.29億元。士蘭微通過長期高強(qiáng)度研發(fā)投入，構(gòu)建了可持續(xù)發(fā)展的研發(fā)體系，2021至2023年累計(jì)投入約22.53億元。近年來，公司成功研發(fā)并迭代了多品類模擬電路、變頻系統(tǒng)、MEMS傳感器及硅基、化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品等。同時(shí)，在制造工藝技術(shù)上也取得了顯著成果，截至2023年底已擁有1171項(xiàng)專利，其中發(fā)明專利538項(xiàng)。當(dāng)前，研發(fā)項(xiàng)目聚焦五大領(lǐng)域：車規(guī)級和工業(yè)級電源管理、功率半導(dǎo)體器件與模塊、MEMS傳感器、信號鏈混合信號處理電路及光電系列產(chǎn)品。2024年1-9月，研發(fā)投入達(dá)7.55億元，同比增長29.32%，占營收比重9.25%。未來五年，公司計(jì)劃保持研發(fā)投入占比8%-10%，持續(xù)推動新產(chǎn)品新技術(shù)的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，增強(qiáng)核心競爭能力。大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
近年來，士蘭微積極投身于以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等化合物產(chǎn)品為核心的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，持續(xù)推動技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級。2022年7月，該公司在廈門制造基地正式啟動了“6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”。據(jù)芯傳感了解，目前該生產(chǎn)線已具備每月9000片的6英寸SiC芯片生產(chǎn)能力，為公司在SiC領(lǐng)域的市場拓展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。進(jìn)入2024年，該公司在杭州基地的8英寸GaN功率器件芯片量產(chǎn)線建設(shè)也取得了顯著進(jìn)展。目前，GaN芯片生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)初步通線，公司正全力推進(jìn)后續(xù)工作，以期盡快推出首批車規(guī)級和工業(yè)級的GaN功率器件產(chǎn)品，進(jìn)一步豐富其產(chǎn)品線并滿足市場需求。此外，為進(jìn)一步完善公司在車規(guī)級高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，該公司與廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府于2024年5月21日共同簽署了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。根據(jù)協(xié)議，各方將在廈門市海滄區(qū)攜手建設(shè)一條以SiC MOSFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。該項(xiàng)目規(guī)劃分兩期進(jìn)行建設(shè)。項(xiàng)目一期投資規(guī)模高達(dá)70億元，規(guī)劃產(chǎn)能為每月3.5萬片；二期投資規(guī)模約為50億元，規(guī)劃產(chǎn)能為每月2.5萬片。兩期建設(shè)全部完成后，該生產(chǎn)線將具備每月6萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力，顯著提升公司在SiC領(lǐng)域的市場競爭力。目前，該8英寸SiC芯片生產(chǎn)線正在緊鑼密鼓地建設(shè)中，預(yù)計(jì)將于2025年年底實(shí)現(xiàn)初步通線。
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