導讀:以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體具有耐高溫、高功率以及抗輻射等特性。可廣泛應(yīng)用在高壓、高頻、高溫以及高可靠性等領(lǐng)域?,F(xiàn)如今伴隨新能源多應(yīng)用市場的蓬勃發(fā)展,以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的寬禁帶半導體已成為綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動力,幫助實現(xiàn)更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。
以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體具有耐高溫、高功率以及抗輻射等特性??蓮V泛應(yīng)用在高壓、高頻、高溫以及高可靠性等領(lǐng)域?,F(xiàn)如今伴隨新能源多應(yīng)用市場的蓬勃發(fā)展,以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的寬禁帶半導體已成為綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動力,幫助實現(xiàn)更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。
作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者,英飛凌在第三代半導體如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)領(lǐng)域持續(xù)布局,通過技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)能擴張及市場應(yīng)用拓展,為光儲、智能家居、新能源汽車等低碳化趨勢下的關(guān)鍵行業(yè)提供了高性能的功率半導體解決方案,推動了行業(yè)的綠色轉(zhuǎn)型和可持續(xù)發(fā)展。
在9日上午的主論壇開場致辭中,英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負責人潘大偉表示:“半導體解決方案是實現(xiàn)氣候目標的關(guān)鍵,寬禁帶半導體能顯著提升能源效率,推動實現(xiàn)低碳轉(zhuǎn)型。在當前綠色低碳化的大背景下,以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導體作為新材料和新技術(shù)已開始廣泛應(yīng)用于新能源、電動汽車、儲能、快充等多個領(lǐng)域。作為行業(yè)領(lǐng)導者,英飛凌憑借持續(xù)的技術(shù)革新與市場布局,在寬禁帶半導體領(lǐng)域發(fā)揮著引領(lǐng)作用,致力于滿足經(jīng)濟社會發(fā)展對于更高能效、更環(huán)保的半導體產(chǎn)品的需求?!?/p>
在《寬禁帶創(chuàng)新技術(shù)加速低碳化和數(shù)字化》主題演講中,英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負責人劉偉和英飛凌科技副總裁、英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負責人沈璐分別從市場角度闡述了英飛凌在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)寬禁帶半導體領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢。基于在SiC領(lǐng)域的豐厚積累,英飛凌擁有40多年對SiC工藝制程、封裝和失效機理的理解,全球最大的8英寸碳化硅功率晶圓廠以及業(yè)界最廣泛的SiC產(chǎn)品組合、應(yīng)用市場、客戶群覆蓋。尤其是推出的新一代CoolSiCTM MOSFET Gen2技術(shù),與上一代產(chǎn)品相比,將MOSFET的主要性能指標(如能量和電荷儲量)提高了20%,顯著提升整體能效。在GaN方面,自去年10月完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems),目前英飛凌的氮化鎵產(chǎn)品組合包括高壓和中壓的BDS、感測、驅(qū)動和控制系列,可廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器、車載充電器(OBC)、光伏、電機控制、充電器和適配器等。如在AI服務(wù)器領(lǐng)域,基于AI系統(tǒng)對更高功率的需求,進一步增加了半導體的使用量。
在技術(shù)市場方面,英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)市場負責人陳志豪和英飛凌科技高級技術(shù)總監(jiān)、英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)市場負責人陳立烽則從技術(shù)應(yīng)用的角度介紹了英飛凌寬禁帶產(chǎn)品如何助力能源效率提升。如Si 、SiC 和GaN三種半導體材料器件的技術(shù)特性對比,指出雖然硅超級結(jié)在低開關(guān)頻率中占優(yōu),但SiC和GaN終將主導新型拓撲結(jié)構(gòu)和高頻應(yīng)用;結(jié)合CoolSiC?和CoolGaN?的技術(shù)特性及優(yōu)勢,分別在不同領(lǐng)域的典型應(yīng)用案例,如在公共電源轉(zhuǎn)換(PCS)系統(tǒng)中采用SiC模塊,可實現(xiàn)>99%的效率,CoolGaN?雙向開關(guān)在微型逆變器中的應(yīng)用等。
在本次展會中英飛凌不僅通過“2024英飛凌寬禁帶論壇”向與會者分享了第三代半導體新材料、新應(yīng)用的最新發(fā)展成果,還在展區(qū)部分展示了最新的半導體功率器件以及解決方案。
在綠色能源與工業(yè)展區(qū)中,英飛凌重點展出的亮點產(chǎn)品和解決方案包括用于光伏發(fā)電的四路2000V 60A MPPT EasyPACK? CoolSiC? MOSFET 3B碳化硅模塊等展品,該模塊可以在簡化系統(tǒng)設(shè)計的同時,提高功率密度、降低總體成本。
在智能家居展區(qū)中,英飛凌的 “火箭飛船著陸器” 以有趣的互動游戲,向觀眾展示了使用英飛凌PSOC? Edge MCU的高性能計算能力。
在電動汽車展區(qū)中,英飛凌進行了一系列的技術(shù)演示,其中包括使用英飛凌第二代HybridPACK? Drive碳化硅功率模塊的電機控制器系統(tǒng)演示,該系統(tǒng)集成了AURIX? TC3xx、第二代1200V SiC HybridPACK? Drive模塊、第三代EiceDRIVERTM驅(qū)動芯片1EDI30XX、無磁芯電流傳感器等,讓現(xiàn)場觀眾身臨其境地體驗并深入了解英飛凌產(chǎn)品的卓越功能、創(chuàng)新特性,及其在緩解電動汽車里程焦慮應(yīng)用中所展現(xiàn)的獨特價值。
現(xiàn)如今,英飛凌作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者,基于自身在半導體領(lǐng)域扎實的技術(shù)積累和布局,以及廣泛的市場支撐能力,持續(xù)為行業(yè)發(fā)展注入綠色動能,加速行業(yè)低碳化和數(shù)字化的發(fā)展。相信在不遠的未來,我們能夠擁抱更加便利、安全和環(huán)保的世界,讓我們一起拭目以待。