1 月 2 日消息，英特爾最初其實是做 DRAM 存儲器起家的，而且一度成為存儲半導體技術的先驅(qū)，并在 1970 年成功造出了全球首款商用 1K Bit pMOS DRAM“Intel 1103”，但隨著后來日本廠商的崛起在 1984 年宣布退出該領域。

雖然不再研發(fā) DRAM 技術，但英特爾并不是完全與存儲技術割離開來，例如該公司后來還曾在IDF 2015上宣布與美光合作開發(fā) 3D XPoint 技術，將精力投入到 NAND Flash 領域，還研發(fā)了 Optane 傲騰硬盤，不過于沒幾年就將相關業(yè)務賣掉了。

英特爾子公司“英特爾聯(lián)邦有限責任公司”接受了美國能源部的委托，為桑迪亞國家實驗室開發(fā)一種新的內(nèi)存技術。據(jù)介紹，這種技術則是美國 AMT 高級內(nèi)存技術的一部分，主要用于超算領域，旨在加速模擬和計算應用。

這種全新的 DRAM 技術還沒有明確的資料，但目前已經(jīng)選定幾款技術，整體看起來效能十分強大，比桑迪亞實驗室即將推出的 NNSA 超級電腦所使用的效能高出 40 倍。

據(jù)介紹，該項目由美國國家核安全管理局高級模擬和計算項目資助，與桑迪亞、洛斯阿拉莫斯、勞倫斯利弗莫爾三個國家實驗室合作，屬于NNSA 后百億億次級計算計劃投資組合的一部分，其目標是維持技術研發(fā)勢頭以及通過其 PathForward計劃啟動的與行業(yè)的密切合作提高美國在下一代高性能計算技術方面的產(chǎn)業(yè)競爭力，培育更強大的國內(nèi)高性能計算生態(tài)系統(tǒng)。

Sandia 項目負責人 James H. Laros III 表示：“這項工作將側重于提高未來內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬和延遲特性，這將對各種 ASC 任務代碼的應用程序性能產(chǎn)生直接影響”。

“我們已經(jīng)在預測下一代必須解決的未來平臺挑戰(zhàn)，”英特爾系統(tǒng)架構和工程集團副總裁兼總經(jīng)理 Anil Rao 表示，“我們相信高級內(nèi)存技術計劃將幫助我們?yōu)橄乱粋€十年的創(chuàng)新提供支持?！?/p>

英特爾院士 Josh Fryman 表示：“我們正在重新思考 DRAM 的組織方式以及如何與計算平臺相結合以實現(xiàn)突破性性能的基本方面?！薄拔覀兇蛩阃ㄟ^研究桑迪亞、勞倫斯利弗莫爾和洛斯阿拉莫斯國家實驗室的科學家提出的最棘手的問題，從根本上推進計算機系統(tǒng)架構。主流內(nèi)存并非為當今的計算平臺而設計，這一多年的努力將幫助我們從基本 DRAM 設計本身中獲得數(shù)量級的性能提升，從而在所有行業(yè)領域?qū)崿F(xiàn)全新的性能等級。我們希望看到這些創(chuàng)新被納入行業(yè)標準，以提升整個生態(tài)系統(tǒng)。”