麥格納奇普半導(dǎo)體推出了一款新型電池保護(hù)晶體管，以提高下一代智能手機(jī)的電池性能。

一家未具名的智能手機(jī)生產(chǎn)商已經(jīng)委托該組件稱為L(zhǎng)V MOSFET，用于其2022年旗艦產(chǎn)品發(fā)布。該裝置于上個(gè)月進(jìn)入批量生產(chǎn)。

這是該公司LV MOSFET晶體管的第6.5代版本，盡管全球芯片緊縮，但Magnachip認(rèn)為它可以滿足產(chǎn)品需求。該公司一直在努力確保其供應(yīng)鏈的安全。

"盡管目前全球芯片短缺，但我們相信，作為這些新的6.5G產(chǎn)品的集成設(shè)備制造商，我們可以為我們的客戶保持強(qiáng)大的供應(yīng)商能力，"Magnachip首席執(zhí)行官YJ Kim說(shuō)。"我們將繼續(xù)與現(xiàn)有客戶保持密切的關(guān)系，同時(shí)擴(kuò)大我們?cè)谌蚴袌?chǎng)的業(yè)務(wù)。

這個(gè)想法是為了延長(zhǎng)電池壽命并防止導(dǎo)致過(guò)熱的電氣危險(xiǎn)。該芯片的尺寸也縮小了，以適應(yīng)更新的智能手機(jī)型號(hào)。除智能手機(jī)外，麥格納奇普還希望無(wú)線耳機(jī)制造商購(gòu)買LV MOSFET晶體管。

Magnachip的晶體管是通過(guò)對(duì)硅半導(dǎo)體施加受控氧化反應(yīng)來(lái)制造的。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)應(yīng)有助于防止電池電路過(guò)載，特別是對(duì)于在高電壓下工作的快速充電電纜。

LV MOSFET 6.5中包含的材料和二極管有望在電池運(yùn)行時(shí)限制電流泄漏。它們還有助于減輕可能損壞其他智能手機(jī)組件的靜電放電。與以前的版本相比，使用兩個(gè)LV MOSFET 6.5晶體管的電路中的電阻降低了20%。