簡(jiǎn)介

當(dāng)無(wú)線(xiàn)產(chǎn)業(yè)開(kāi)始創(chuàng)建5G時(shí)，2020 年顯得那么遙遠(yuǎn)。而現(xiàn)在就快到 2020 年，這無(wú)疑將是屬于5G的十年。新聞每天都會(huì)報(bào)道新的現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)和即將進(jìn)行的商業(yè)5G部署。對(duì)于無(wú)線(xiàn)產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，這是一個(gè)非常令人興奮的時(shí)刻。目前，行業(yè) 5G 焦點(diǎn)主要在增強(qiáng)移動(dòng)寬帶方面，利用中頻和高頻頻譜中的波束合成技術(shù)向更高網(wǎng)絡(luò)容量和更高吞吐量發(fā)展。我們也開(kāi)始看到利用 5G 網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)低延遲特性的用例興起，例如工業(yè)自動(dòng)化。

就在幾年前，業(yè)界還在討論在移動(dòng)通信中使用毫米波頻譜的可行性，以及規(guī)劃無(wú)線(xiàn)電設(shè)計(jì)人員面臨的挑戰(zhàn)。1 短時(shí)間內(nèi)發(fā)生了很多事情，行業(yè)已經(jīng)從最初的原型制作迅速發(fā)展到成功的現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)，現(xiàn)在我們即將進(jìn)行首次商業(yè) 5G 毫米波部署。許多初始部署將用于固定或移動(dòng)無(wú)線(xiàn)應(yīng)用，但不久的將來(lái)，我們還會(huì)看到真正的毫米波頻率移動(dòng)連接。第一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)設(shè)立，技術(shù)正在迅速發(fā)展，對(duì)毫米波系統(tǒng)的部署也進(jìn)行了大量學(xué)習(xí)。雖然我們已經(jīng)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，但對(duì)于無(wú)線(xiàn)電設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，還有諸多挑戰(zhàn)。我們將在本文的其余部分探討 RF 設(shè)計(jì)人員面臨的一些挑戰(zhàn)。

本文分為三大主題。在第一部分，我們將討論毫米波通信的一些主要用例，為接下來(lái)的分析做鋪墊。在第二和第三部分，我們將深入研究毫米波基站系統(tǒng)的架構(gòu)和技術(shù)。在第二部分，我們將討論波束成型技術(shù)，以及所需發(fā)射功率對(duì)系統(tǒng)前端技術(shù)選擇的影響。當(dāng)波束成型備受媒體關(guān)注時(shí)，同樣重要的無(wú)線(xiàn)電在執(zhí)行從位到毫米波頻率的轉(zhuǎn)換。我們將給出系統(tǒng)這一部分的信號(hào)鏈?zhǔn)纠?，并介紹部分 ADI 公司前沿組件供無(wú)線(xiàn)電設(shè)計(jì)人員考慮。

部署情形和傳播注意事項(xiàng)

我們?cè)陂_(kāi)發(fā)技術(shù)時(shí)，務(wù)必了解技術(shù)最終的部署方式。在所有工程實(shí)踐中，都有需要權(quán)衡的地方，而有更多的真知灼見(jiàn)，就會(huì)產(chǎn)生新穎的創(chuàng)新。在圖 1 中，我們突出了目前在 28 GHz 和 39 GHz 頻譜中探索的兩種常見(jiàn)情景。

圖 1. 5G 毫米波部署情形

圖 1a 演示了一個(gè)固定無(wú)線(xiàn)接入(FWA)用例，在此用例中，我們?cè)噲D向郊區(qū)環(huán)境中的家庭提供高帶寬數(shù)據(jù)。在這種情況下，基站位于電線(xiàn)桿或塔上，并需要覆蓋大片區(qū)域才能產(chǎn)生積極的商業(yè)案例。在初始部署中，我們假設(shè)覆蓋范圍是室外到室外，是以客戶(hù)終端設(shè)備(CPE)安裝在戶(hù)外，并且在設(shè)計(jì)鏈接時(shí)確保最佳無(wú) 線(xiàn)連接。由于天線(xiàn)向下，而用戶(hù)固定，我們可能不需要很大的垂直轉(zhuǎn)向范圍，但發(fā)射功率可能相當(dāng)高，超過(guò) 65 dBm EIRP，以最大限度地增加覆蓋范圍并利用現(xiàn)有的基礎(chǔ)設(shè)施。

在圖 1b 中，我們展示了一個(gè)密集的城市場(chǎng)景，基站將安裝在建筑物屋頂或正面離地較低的位置，將來(lái)可能會(huì)發(fā)展成路燈或其他街道級(jí)安裝。無(wú)論如何，這種類(lèi)型的基站將需要垂直掃描功能，以便在整個(gè)建筑物的立面上傳送信號(hào)，最終隨著移動(dòng)設(shè)備的出現(xiàn)，向地面上的移動(dòng)用戶(hù)（行人和車(chē)輛）傳送信號(hào)。這種 情況下，傳輸功率可能不需要像郊區(qū)那樣高，但是室外向室內(nèi)穿透仍然要面對(duì)低輻射玻璃的問(wèn)題。如圖所示，在光束掃描范圍內(nèi)，無(wú)論是水平軸還是垂直軸，我們都需要更大的靈活性?？傊?，沒(méi)有萬(wàn)能的解決方案。部署情形將決定波束合成架構(gòu)，而架構(gòu)將影響射頻技術(shù)的選擇。

表 1. 5G 基站示例

現(xiàn)在，我們來(lái)看一個(gè)實(shí)際的例子，導(dǎo)出一個(gè)簡(jiǎn)單的鏈路預(yù)算來(lái)說(shuō)明毫米波基站的發(fā)射功率要求，如表 1 所示。與蜂窩頻率相比，附加路徑損耗是毫米波頻率要克服的主要障礙，但障礙物（建筑物、植物、人等）也是另一個(gè)需要考慮的主要因素。近年來(lái)出現(xiàn)了大量關(guān)于毫米波頻率傳播的報(bào)道，文章“第五代(5G)無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)毫米波通信概述——以傳播模型為重點(diǎn)"中對(duì)此做了很好地概述。 2 討論并比較了數(shù)種模型，說(shuō)明了路徑損耗對(duì)環(huán)境的依賴(lài)性，以及視線(xiàn)(LOS)方案與非視線(xiàn)(NLOS)方案的對(duì)比情況。 我們?cè)谶@里不進(jìn)行詳細(xì)討論，我們通?？梢哉f(shuō)，考慮到所需的范圍和地形，固定無(wú)線(xiàn)部署應(yīng)考慮使用 NLOS 方案。在所舉示例中，我們考慮在郊區(qū)部署 200 米范圍的基站。根據(jù) NLOS 室外到室外鏈接，我們假定這里的路徑損耗為 135 dB。如果我們嘗試從室外穿透到室內(nèi)，那么路徑損耗可能高 30 dB。相反，如果我們 假設(shè)一個(gè) LOS 模型，那么路徑損耗可能在 110 dB 左右。

在這種情況下，我們假設(shè)基站中有 256 個(gè)元件，CPE 中有 64 個(gè)元件。在這兩種情況下，通過(guò)硅實(shí)施均可滿(mǎn)足輸出功率。假定鏈路是不對(duì)稱(chēng)的，這在上行鏈路預(yù)算中起到了一定的緩解作用。在這種情況下，平均鏈路質(zhì)量應(yīng)允許在下行鏈路中進(jìn)行 64 QAM 操作，在上行鏈路中進(jìn)行 16 QAM 操作。如果需要，可以增加 CPE 的發(fā)射功率至法定區(qū)域限制，以便改善上行鏈路。如果將鏈路范圍延伸到 500 米，路徑損耗將增加到大約 150 dB。這是可行的，但會(huì)使上行鏈路和下行鏈路上的無(wú)線(xiàn)電變得更加復(fù)雜，功耗也將急劇增加。

毫米波波束合成

現(xiàn)在，我們來(lái)看一下各種波束合成方法：模擬、數(shù)字和混合，如圖 2 所示。我相信我們都很熟悉模擬波束合成的概念，因?yàn)檫@個(gè)話(huà)題在最近幾年的文獻(xiàn)中多有提及。在這里，我們有數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，將數(shù)字信號(hào)與寬帶基帶或 IF 信號(hào)相互轉(zhuǎn)換，連接執(zhí)行上變頻和下變頻處理的無(wú)線(xiàn)電收發(fā)器。在射頻（例如，28 GHz） 中，我們將單個(gè)射頻路徑分成多條路徑，通過(guò)控制每個(gè)路徑的相位來(lái)執(zhí)行波束合成，從而在遠(yuǎn)場(chǎng)朝目標(biāo)用戶(hù)的方向形成波束。這使得每條數(shù)據(jù)路徑都能引導(dǎo)單個(gè)波束，因此理論上來(lái)說(shuō)，我們可以使用該架構(gòu)一次為一個(gè)用戶(hù)服務(wù)。

圖 2. 各種波束合成方法

數(shù)字波束成型就是字面意思。相移完全在數(shù)字電路中實(shí)現(xiàn)，然后通過(guò)收發(fā)器陣列饋送到天線(xiàn)陣列。簡(jiǎn)單地說(shuō)，每個(gè)無(wú)線(xiàn)電收發(fā)器都連接到一個(gè)天線(xiàn)元件，但實(shí)際上每個(gè)無(wú)線(xiàn)電都可以有多個(gè)天線(xiàn)元件，具體取決于所需扇區(qū)的形狀。該數(shù)字方法可實(shí)現(xiàn)最大容量和靈活性，并支持毫米波頻率的多用戶(hù) MIMO 發(fā)展規(guī)劃，類(lèi)似于中頻系統(tǒng)。這非常復(fù)雜，考慮到目前可用的技術(shù)，無(wú)論是在射頻還是數(shù)字電路中，都將消耗過(guò)多的直流電。然而，隨著未來(lái)技術(shù)的發(fā)展，毫米波無(wú)線(xiàn)電將出現(xiàn)數(shù)字波束合成。

近期最實(shí)用、最有效的波束合成方法是混合數(shù)模波束成型，它實(shí)質(zhì)上是將數(shù)字預(yù)編碼和模擬波束合成結(jié)合起來(lái)，在一個(gè)空間（空間復(fù)用）中同時(shí)產(chǎn)生多個(gè)波束。通過(guò)將功率引導(dǎo)至具有窄波束的目標(biāo)用戶(hù)，基站可以重用相同的頻譜，同時(shí)在給定的時(shí)隙中為多個(gè)用戶(hù)服務(wù)。雖然文獻(xiàn)中報(bào)道的混合波束成型有幾種 不同的方法，但這里顯示的子陣方法是最實(shí)際的實(shí)現(xiàn)方法，本質(zhì)上是模擬波束成型的步驟和重復(fù)。目前，報(bào)告的系統(tǒng)實(shí)際上支持 2 到 8 個(gè)數(shù)字流，可以用于同時(shí)支持單個(gè)用戶(hù)，或者向較少數(shù)量的用戶(hù)提供 2 層或更多層的 MIMO。

讓我們更深入地探討模擬波束成型的技術(shù)選擇，即構(gòu)建混合波束成型的構(gòu)建模塊，如圖 3 所示。在這里，我們將模擬波束合成系統(tǒng)分為三個(gè)模塊進(jìn)行處理：數(shù)字、位到毫米波和波束成型。這并非實(shí)際系統(tǒng)的劃分方式，因?yàn)槿藗儠?huì)把所有毫米波組件放在鄰近位置以減少損耗，但是這種劃分的原因很快就會(huì)變得很明顯。

圖 3. 模擬波束合成系統(tǒng)方框圖

波束成型功能受到許多因素的推動(dòng)，包括分段形狀和距離、功率電平、路徑損耗、熱限制等，是毫米波系統(tǒng)的區(qū)段，隨著行業(yè)的學(xué)習(xí)和成熟，需要一定的靈活性。即便如此，仍將繼續(xù)需要各種傳輸功率電平，以解決從小型蜂窩到宏的不同部署情形。另一 方面，用于基站的位到毫米波無(wú)線(xiàn)電需要的靈活性則 要小得多，并且在很大程度上可以從當(dāng)前 Release 15 規(guī)格中派生出來(lái)。3 換言之，設(shè)計(jì)人員可以結(jié)合多個(gè)波束成型配置重用相同的無(wú)線(xiàn)電。這與當(dāng)前的蜂窩無(wú)線(xiàn)電系統(tǒng)沒(méi)有什么不同，在這些系統(tǒng)中，小信號(hào)段跨平臺(tái)很常見(jiàn)，而且每個(gè)用例的前端更多都是定制的。

當(dāng)我們從數(shù)字轉(zhuǎn)向天線(xiàn)時(shí)，就已經(jīng)為信號(hào)鏈繪制了潛在技術(shù)的進(jìn)展圖。當(dāng)然，數(shù)字信號(hào)和混合信號(hào)都是在細(xì)線(xiàn)體 CMOS 工藝中產(chǎn)生的。根據(jù)基站的要求，整個(gè)信號(hào)鏈可以用 CMOS 開(kāi)發(fā)，或者更有可能的是，采用多種技術(shù)的混合開(kāi)發(fā)，為信號(hào)鏈提供最佳性能。例如，一種常見(jiàn)的配置是使用具有高性能 SiGe BiCMOS IF 到毫米波轉(zhuǎn)換的 CMOS 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器。如圖所示，波束成型可采用多種技術(shù)實(shí)現(xiàn)，具體取決于系統(tǒng)需求，我們將在下面討論。根據(jù)所選的天線(xiàn)尺寸和發(fā)射功率要求，可以實(shí)現(xiàn)高度集成的硅方法，也可以是硅波束成型與離散 PA 和 LNA 的組合。

在之前的工作中，對(duì)變送器功率與技術(shù)選擇之間的關(guān)系進(jìn)行了分析，4,5 在此不再全面重復(fù)。但是，為了總結(jié)這一分析，我們?cè)趫D 4 中包含了一個(gè)圖表。功率放大器技術(shù)的選擇基于綜合考慮所需的變送器功率、天線(xiàn)增益（元件數(shù)）和所選技術(shù)的 RF 發(fā)電能力。如圖所示，可以在前端使用 II-V 技術(shù)（低集成方法）或使用基于硅的高集成方法，通過(guò)較少的天線(xiàn)元件來(lái)實(shí)現(xiàn)所需的 EIRP。每種方法都有各自的優(yōu)缺點(diǎn)，而實(shí)際的實(shí)現(xiàn)取決于工程在規(guī)模、重量、直流功耗和成本方面的權(quán)衡。為了為表 1 中導(dǎo)出的案例生成 60 dBm 的 EIRP，演示文稿“5G 毫米波無(wú)線(xiàn)電的架構(gòu)與技術(shù)”5 中進(jìn)行的分析得出，最佳天線(xiàn)尺寸介于 128 至 256 個(gè)元件之間，較低的數(shù)量通過(guò) GaAs 功率放大器實(shí)現(xiàn)，而較大的數(shù)量可采用全硅波束成型基于 RF IC 的技術(shù)實(shí)現(xiàn)。

圖 4. 60 dBm EIRP 的天線(xiàn)所需的變送器功率、天線(xiàn)尺寸和半導(dǎo)體技術(shù)選擇之間的關(guān)系 5

現(xiàn)在讓我們從不同的角度來(lái)研究這個(gè)問(wèn)題。60 dBm EIRP 是 FWA 常用的 EIRP 目標(biāo)，但數(shù)值可能更高或更低，具體取決于基站和周?chē)h(huán)境的期望范圍。由于部署情形變化很大，無(wú)論是樹(shù)木成蔭的地區(qū)、街道峽谷地區(qū)，還是廣闊的空地，都有大量的路徑損耗需要根據(jù)具體情況進(jìn)行處理。例如，在假定為 LOS 的密集城市部署中，EIRP 目標(biāo)可能低至 50 dBm。

FCC 按設(shè)備類(lèi)別 3,6 設(shè)定有定義和發(fā)布的規(guī)格，以及發(fā)射功率限制，這里我們遵循基站的 3GPP 術(shù)語(yǔ)。3 如圖 5 所示，設(shè)備類(lèi)別或 多或少地限定了功率放大器的技術(shù)選擇。雖然這不是一門(mén)精確的科學(xué)，但我們可以看到，移動(dòng)用戶(hù)設(shè)備（手機(jī)）非常適合 CMOS 技術(shù)，相對(duì)較低的天線(xiàn)數(shù)量可以達(dá)到所需的變送器功率。這種類(lèi)型的無(wú)線(xiàn)電將需要高度集成和省電才能滿(mǎn)足便攜式設(shè)備的需求。本地基站（小型蜂窩）和消費(fèi)者終端設(shè)備（可移動(dòng)電源）要求類(lèi)似，涉及從變送器功率要求低端的 CMOS 到更高端的 SiGe BiCMOS 的一系列技術(shù)。中程基站非常適合 SiGe BiCMOS 技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)緊湊的外形尺寸。在高端，對(duì)于廣域基站來(lái)說(shuō)，可以應(yīng)用各種技術(shù)，具體取決于對(duì)天線(xiàn)尺寸和技術(shù)成本的權(quán)衡。盡管可在 60 dBm EIRP 范圍內(nèi)應(yīng)用 SiGe BiCMOS，但 GaAs 或 GaN 功率放大器更適合更高的功率。

圖 5. 基于變送器功率的各種毫米波無(wú)線(xiàn)電尺寸適配技術(shù) 5

T 圖 5 顯示了當(dāng)前技術(shù)的快照，但行業(yè)正在取得很大進(jìn)展，技術(shù)也在不斷改進(jìn)。如“5G 毫米波無(wú)線(xiàn)電的架構(gòu)與技術(shù)”演示文稿中所述，5 提高毫米波功率放大器的直流功率效率是設(shè)計(jì)人員面臨的主要挑戰(zhàn)之一。

隨著新技術(shù)和 PA 架構(gòu)的出現(xiàn)，上面的曲線(xiàn)將發(fā)生變化，并將為高功率基站提供集成度更高的結(jié)構(gòu)。演示文稿 ““近期高效毫米波 5G 線(xiàn)性功率放大器設(shè)計(jì)簡(jiǎn)短調(diào)查”7 中很好地概述了 PA 技術(shù)的進(jìn)展。

我們?cè)購(gòu)?fù)習(xí)一下上面的觀(guān)點(diǎn)，對(duì)波束成型部分進(jìn)行總結(jié)。目前還沒(méi)有一種萬(wàn)能的方法，可能需要設(shè)計(jì)各種前端設(shè)計(jì)來(lái)解決從小型蜂窩到宏的各種用例。

毫米波無(wú)線(xiàn)電：從位到毫米波及從毫米波到位

現(xiàn)在讓我們更詳細(xì)地討論位到毫米波無(wú)線(xiàn)電，并探討系統(tǒng)這一部分的挑戰(zhàn)。關(guān)鍵是要將位轉(zhuǎn)換為毫米波，再以高保真度轉(zhuǎn)換回來(lái)，以支持 64 QAM 等高階調(diào)制技術(shù)，以及未來(lái)系統(tǒng)中可能高達(dá) 256 QAM 的技術(shù)。這些新無(wú)線(xiàn)電的主要挑戰(zhàn)之一是帶寬。5G 毫米波無(wú)線(xiàn)電名義上必須處理 1 GHz 或可能更高的帶寬，具體取決于頻譜的實(shí)際分配方式。雖然 28 GHz 下的 1 GHz 帶寬相對(duì)較低(3.5%)，但假設(shè)是 3 GHz 中頻下的 1 GHz 帶寬，那么設(shè)計(jì)起來(lái)就更具有挑戰(zhàn)性，并且需要某種先進(jìn)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能設(shè)計(jì)。

圖 6 展示了一個(gè)基于組件的高性能位到毫米波無(wú)線(xiàn)電的方框圖示例，構(gòu)成 ADI 公司的寬 RF 和混合信號(hào)產(chǎn)品系列。該信號(hào)鏈經(jīng)證實(shí)在 28 GHz 上支持連續(xù)的 8× 100 MHz NR 載波，具有出色的誤差矢量幅度(EVM)性能。有關(guān)此信號(hào)鏈及其演示性能的更多詳細(xì)信息，可參見(jiàn) ADI 公司的 5G 毫米波基站視頻。8

圖 6. 寬帶位到毫米波無(wú)線(xiàn)電框圖

讓我們來(lái)討論一下數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器。在圖 6 的示例中，我們顯示了所 使用的直接高中頻變送器發(fā)射和高中頻接收器采樣，其中數(shù)據(jù) 轉(zhuǎn)換器在中頻進(jìn)行發(fā)射和接收。在能夠合理實(shí)現(xiàn)的情況下，中 頻要盡可能高，以避免在 RF 下的圖像濾波困難，從而將中頻驅(qū) 動(dòng)到 3 GHz 及以上。幸運(yùn)的是，先進(jìn)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器能夠在這種頻 率下工作。 AD9172 是一款高性能、雙通道、16 位 DAC，支持高達(dá) 12.6 GSPS 的采樣速率。該器件具有 8 通道、15 Gbps JESD204B 數(shù)據(jù)輸入端口、高性能片內(nèi) DAC 時(shí)鐘倍頻器和數(shù)字信號(hào)處理功能， 支持帶寬和高達(dá) 6 GHz 的多頻段直接至 RF 信號(hào)生成。在接收器中，我們顯示了雙通道、14 位、3 GSPS ADC AD9208。 該器件內(nèi)置片內(nèi)緩沖器和采樣保持電路，專(zhuān)門(mén)針對(duì)低功耗、小尺寸和易用 性而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品設(shè)計(jì)支持通信應(yīng)用，能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá) 5 GHz 的寬帶寬模擬信號(hào)直接采樣。

在發(fā)射和接收中頻階段，我們建議將數(shù)字增益放大器從單一轉(zhuǎn)換為平衡，反之亦然，以避免使用巴倫。這里，我們?cè)诎l(fā)射鏈中顯示 ADL5335 在接收鏈中顯示 ADL5569 作為高性能寬帶放大器的示例。

對(duì)于中頻和毫米波之間的上變頻和下變頻，我們最近推出了一種 基于硅的寬帶上變頻器 ADMV1013 和下變頻器 ADMV1014。這些寬帶變頻器件的操作范圍為 24.5 GHz 至 43.5 GHz。此頻率覆蓋范圍廣泛，因此設(shè)計(jì)人員用一種無(wú)線(xiàn)電設(shè)計(jì)即可處理目前定義的所有 5G 毫米波頻段（3GPP 頻段 n257、n258、n260 和 n261）。兩種器件 均支持高達(dá) 6 GHz 的中頻接口和兩種變頻模式。如圖 6 所示，這兩種器件都包括片內(nèi) 4×本振(LO)倍頻器，且 LO 輸入范圍為 5.4 GHz 至 11.75 GHz。ADMV1013 既支持從基帶 I/Q 直接轉(zhuǎn)換為 RF，也支持從中頻進(jìn)行單邊帶上變頻。它在 24 dBm 的高輸出 IP3 提供 14 dB 的轉(zhuǎn)換增益。如果在單邊帶變頻中實(shí)現(xiàn)，如圖 6 所示，該器件提供 25 dB 邊帶抑制。ADMV1014 既支持從基帶 I/Q 直接轉(zhuǎn)換為 RF，也支持鏡像抑 制下變頻至中頻。該器件提供 20 dB 的轉(zhuǎn)換增益、3.5 dB 的噪聲指數(shù)和–4 dBm 的輸入 IP3。鏡像抑制模式中的邊帶抑制為 28 dB。

RF 鏈中的最后一個(gè)組件是 ADRF5020 寬帶硅 SPDT 開(kāi)關(guān)。ADRF5020 在 30 GHz 時(shí)提供 2 dB 的低插入損耗和 60 dB 的高隔離度。

最后，我們來(lái)討論頻率源?？紤]到本振可能占據(jù) EVM 預(yù)算的很大一部分，因此使用一個(gè)相位噪聲極低的來(lái)源來(lái)生成毫米波本振(LO)至關(guān)重要。

ADF4372 是一種具有行業(yè)領(lǐng)先集成 PLL 和超低相位噪聲 VCO 的寬帶微波頻率合成器，輸出功率可達(dá) 62.5 MHz 至 16 GHz。結(jié)合外部環(huán)路濾波器和外部基準(zhǔn)頻率使用時(shí)，可實(shí)現(xiàn)小數(shù) N 分頻或整數(shù) N 分頻鎖相環(huán)(PLL)頻率合成器。8 GHz 的 VCO 相位噪聲在 100 kHz 偏移時(shí)為–111 dBc/Hz，在 1 MHz 偏移時(shí)為–134 dBc/Hz。

圖 6 中的方框圖對(duì)于任何考慮 28 GHz 和 39 GHz 頻段毫米波設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)都是一個(gè)很好的起點(diǎn)，適合與需要高性能寬帶無(wú)線(xiàn)電的各種波束合成前端配合使用。ADI 的 射頻、微波和毫米波 產(chǎn)品選型指南 中也列出了許多組件，其他信號(hào)鏈架構(gòu)或類(lèi)似高頻應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員可能會(huì)對(duì)這些組件感興趣。

總結(jié)

最近幾年，毫米波無(wú)線(xiàn)電發(fā)展迅猛，離開(kāi)實(shí)驗(yàn)室發(fā)展到了現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)，并將在接下來(lái)的幾個(gè)月進(jìn)行商業(yè)部署。不斷發(fā)展的生態(tài)系統(tǒng)和新出現(xiàn)的用例要求波束合成前端具有一定的靈活性，但正如討論的那樣，有一些適合近天線(xiàn)設(shè)計(jì)的技術(shù)和方法可供選擇。無(wú)線(xiàn)電的寬帶特性（位到毫米波）需要前沿技術(shù)，但基于 硅的技術(shù)正在迅速發(fā)展，以滿(mǎn)足混合信號(hào)和小信號(hào)域的要求?；谀壳翱捎玫慕M件給出了一個(gè)高性能無(wú)線(xiàn)電設(shè)計(jì)示例。

隨著 5G 生態(tài)系統(tǒng)的不斷發(fā)展，ADI 公司將繼續(xù)利用我們的領(lǐng)先技術(shù)和信號(hào)鏈解決方案，支持客戶(hù)為新興的 5G 毫米波市場(chǎng)開(kāi)發(fā)差異化系統(tǒng)。

參考電路

1 Thomas Cameron。 ““微波行業(yè)的 5G 機(jī)遇與挑戰(zhàn)?！?Microwave Journal, 2016 年 2 月。

2 Theodore S. Rappaport, Yunchou Xing, George R. MacCarthy, Jr., Andreas F. Molisch, Evangelos Melios 和 Jianhua Zhang。 “第五代(5G)無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)毫米波通信概述——以傳播模型為重點(diǎn)?！?IEEE Transactions on Antennas 和 Propagation, 5G 特刊, 2017 年 11 月。

3 3GPP 38.104 技術(shù)規(guī)范。 基站(BS)無(wú)線(xiàn)電發(fā)射和接收(Release 15)。

4 Thomas Cameron。 “5G 毫米波無(wú)線(xiàn)電 RF 技術(shù)?！盇DI 公司，2016 年 11 月。

5 Thomas Cameron。 “5G 毫米波無(wú)線(xiàn)電的架構(gòu)與技術(shù)?！?018 國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議，Session 4，面向 5G 和未來(lái)的毫米波無(wú)線(xiàn)電，2018 年 2 月。

6 簡(jiǎn)報(bào)：為新一代(5G)無(wú)線(xiàn)寬帶識(shí)別和開(kāi)辟大量新高頻頻譜的頻譜前沿方案。

7 Donald C. Lie, Jill Mayeda 和 Jota Lopez。 “近期高效毫米波 5G 線(xiàn)性功率放大器設(shè)計(jì)簡(jiǎn)短調(diào)查?！?2017 年 IEEE 第 60 屆國(guó)際中西部電路和系統(tǒng)研討會(huì)(MWSCAS)，馬薩諸塞州波士頓，2017 年 8 月。

8 5G 毫米波基站。ADI 公司。